ElectroJ

電子セラミックス研究室
Electronic Ceramics Laboratory

電子セラミックス研究室の概要

　当研究室では、不揮発性メモリやアクチュエータ等のための強誘電体材料、高温超電導体および酸化物熱電変換材料を対象とし、材料のミクロレベルの構造を制御する新たなプロセス技術を開発することにより、材料の高機能化を図る研究を行っています。　今後は、”シリコンテクノロジーとセラミックステクノロジーの融合”をキーワードとして、IC製造工程に適合した電子セラミック薄膜の合成プロセス技術を中心に研究を展開していきます。

研究テーマ

　　新規高温用酸化物熱電変換材料の解析・評価
　　　　　（ＮＳＳ；Ｈ１０年度～１２年度）
　　
　　ゾルゲル法によるセラミックス超薄膜の形成技術に関する研究　　＞終了
　　　　　（鉱工業特研；Ｈ７年度～１０年度）
　　
　　導電性・誘電性セラミックスの微構造制御の研究　　＞終了
　　　　　（経常研究；Ｈ６年度～１０年度）
　　
　　電歪セラミックアクチュエータの開発に関する研究　
　　　　　（新材料技術；Ｈ１１年度～１３年度）
　　
　　電子セラミックスの材料設計に関する研究　
　　　　　（経常研究；Ｈ１１年度～１２年度）
　　
　　圧電・電歪セラミックスのスマート特性評価の研究　
　　　　　（産業科学技術；Ｈ１１年度～１４年度）

スタッフ

室長	村山　宣光	murayama@nirin.go.jp
	関谷　　忠
	加藤　一実
	楠本　慶二
	申　　宇ソク	（ソク = ）
	鈴木　一行

研究の内容（最近のトピックス）

１）不揮発性メモリ用強誘電体セラミック薄膜の低温合成
　ゾルゲル法において、不揮発性メモリ用強誘電体(SrBi₂Ta₂O₉, SBT)セラミック薄膜の低温合成に成功しました。本研究のポイントは、SBT結晶に類似した構造を有する前駆体複合アルコキシドを調製し、前駆体の結晶化エネルギーを下げたことです。従来、SBTが強誘電特性を示すには、800℃以上で焼成する必要がありましたが、当研究室が開発した複合アルコキシドを用いることにより、SBTの合成温度を650-700℃に下げることができました。

２）高温用酸化物熱電変換材料の研究開発
　ゴミ焼却炉等からの排熱を利用した熱電発電に適した高温用酸化物熱電変換材料 Ba_1-xSr_xPbO₃を見出しました。従来の主な熱電変換材料は、金属間化合物系であるため、これらを高温大気中で使う場合は、酸化防止被膜を施す必要があります。これに対して、当研究室では、高温大気中で安定な酸化物の中で、新規高温用熱電変換材料を見出し、同材料を素子化することを目指しています。今回の研究成果は、その第一歩です。